جدیدتأثیر دوپت استرانسیم بر لایه های نانوساختار سیلیکات بیسموت
تأثیر دوپت استرانسیم بر لایه های نانوساختار سیلیکات بیسموت
Synthesis and evaluation of the structural and optical properties of Sr-doped bismuth silicate nanostructured films
شرح:
تأثیر دوپت استرانسیم بر لایه های نانوساختار سیلیکات بیسموت: در این پژوهش، لایه های نانوساختار سیلیکات بیسموت (Bi4Si3O12) به روش سل- ژل تهیه و سپس تأثیر افزودن ماده استرانسیم برساختار، مورفولوژی و خواص نوری آنها مورد بررسی قرار گرفت. در این راستا ابتدا سل های مختلف با نسبت های بهینه از مواد اولیهتهیه شد و سپس سل های تهیه شده به روش غوطه وری بر روی زیرلایه با سرعت یک میلیمتر بر ثانیه لایه نشانی شد. در ادامه نمونه های تولید شده در دمای °۱۰۰Cخشک و به منظور دستیابی به ساختار کریستالی در دمای°۷۰۰Cبه مدت یک ساعت کلسینه شد. درنهایت نمونه های تهیه شده با استفاده از دستگاه هایFT-IR،XRD,SEMوUV-Visمورد آنالیز و ارزیابی قرار گرفتند. نتایج حاکی از تشکیل پوششی یکنواخت و همگن از ساختار سیلیکات بیسموت با اندازه ذرات۳۵و۵۰نانومتر میباشد. بررسی خواص نوریاین لایه ها نشان داد که با افزودن ماده دوپت شفافیت لایه ها کاهش یافته و گاف انرژی نیز از۳/۶۱به ۳/۳۲ev کاهش می یابد.سرامیک های سیلیکات بیسموت دارای خواص پیزوالکتریکی، فعالیت نوری، قابلیت هدایت نور و شکست نور میباشد، که کاربردهایی در زمینه ساخت وسایل نوری، بازخوانی حافظه نوری، تقویت کننده های نوری، لیزر نوری و حافظه فروالکتریک دارد.
کلمات کلیدی: سیلیکات بیسموت، فرآیند سل- ژل, استرانسیم، خواص ساختاری و نوری.
قالب بندی : PDF
تعداد صفحات :۱۱
حجم :۱۴۵۰kB
مشاهده مطالب مرتبط
دیدگاه کاربران