جدیدنیمه هادی های نیترید رقیق (M. Henini)
Dilute Nitride Semiconductors
M. Henini
شرح:
نیمه هادی های نیترید رقیق (M. Henini) : اتم های عناصر مختلف دارای الکترونهایی هستند که در مدارهای مختلفی به دور هسته گردش می کنند . الکترونهایی که در مدارهای نزدیک به هسته گردش می کنند انرژی کمتری دارند اما از طرف هسته ، نیروی جاذبه بیشتری بر آنها وارد می شود و در نتیجه نمی توان به آسانی این الکترونها را از اتم جدا کرد . در هر اتم ، آخرین مدار را لایه ظرفیت یا لایه والانس می گویند و الکترونهای این لایه را الکترونهای ظرفیت یا والانس می نامند . الکترونهای والانس انرژی بیشتری نسبت به بقیه الکترونها دارند اما وابستگی آنها به هسته کمتر از بقیه الکترونها می باشد. اجسام نیمه هادی : اتم های تشکیل دهنده اجسام نیمه هادی معمولاً دارای چهار الکترون والانس می باشند . اجسام نیمه هادی در دمای صفر مطلق ( ۲۷۳– درجه سانتیگراد ) تقریباً عایق هستند . در دمای اتاق ( ۲۵ درجه سانتیگراد ) ، انرژی حرارتی محیط باعث آزاد شدن تعدادی از الکترونهای والانس می شود و هدایت الکتریکی در جسم بالا می رود . در دمای اتاق ، هدایت الکتریکی نیمه هادی ها بهتر از عایق ها و بدتر از هادی ها می باشد . نیمه هادی های پرکاربرد عبارتند از کربن ، سیلیسیم ( سیلیکن ) ،ژرمانیوم ، توریم ، زیرکونیوم و هافنیوم که از بین آنها سیلیسیم و ژرمانیوم در برق و الکترونیک کاربرد فراوان دارند . نیمه هادی دائمی ک اتم از نوکلئون ها تشکیل شده است ; که عبارتند از پروتون های با بار مثبت، نوترون های بدون بار، و الکترونهای با بار منفی که در برداشت کلاسیک به دور نوکلئون ها میچرخند. الکترون ها در لایه های گوناگون با فواصل مختلفی از نوکلئون ها توزیع شده اند . انرژی الکترون با افزایش شعاع لایه ، کاهش می یابد. الکترون های خارجی ترین لایه، الکترون های والانس یا ظرفیت نامیده می شوند. فعالیت شیمیایی یک ماده در وهله ی اول به وسیله ی تعداد این الکترون ها تعیین می گردد.این کتاب به بررسی نیمه هادی های نیترید و خواص آن ها پرداخته است.
قالب بندی:pdf
تعداد صفحات :۶۴۹
حجم :۹٫۲۸MB
مشاهده مطالب مرتب
دیدگاه کاربران